Chips für mobile Geräte sollen 200 GHz erreichen

New York (pte/05.08.2005/13:44) – Die Silizium-Germanium Chips der
vierten Generation sollen eine Höchstgeschwindigkeit von 200 GHz
erreichen. Die neuen Halbleiter von IBM http://www.ibm.com/ mit der
Bezeichnung 8HP und 8WL sind damit doppelt so schnell wie die Chips der
letzten Generation.

Die Silicon-Germanium-Technologie wird verwendet, um die Leistung der
Chips zu steigern und den Energieverbrauch zu reduzieren. Die
SiGe-Chips werden in Handys und andere mobile Geräte eingebaut. Obwohl
Silizium-Germanium Chips die Leistung steigern, ist die Technologie
nicht sehr weit verbreitet, da die Produktion um einiges teurer ist als
die gewöhnlicher Silizium-Chips.

Laut IBM ermöglichen die neuen Chips längere Laufzeit der Batterien und
soll die Leistungsfähigkeit so erhöhen, dass mobile Geräte wie PDAs
bald standardmäßig mit eingebautem GPS und WLAN-Zugang ausgestattet
sind. Die Chips können auch für Kurzstrecken-Radar-Systeme (SRR) in
Autos verwendet werden um diese sicherer zu machen. SiGe-Chips können
an der Stoßstange angebracht werden, um den Fahrer zu warnen, wenn er
einem Hindernis zu nahe kommt.

IBM entwickelt SiGe-Chips seit 1995. Laut Bernie Meyerson,
Cheftechnologe der Abteilung Systeme und Technologie, wird die vierte
Generation der Chips die Entwicklung mobiler Geräte in den nächsten
Jahren massiv beeinflussen. "Die Silizium-Germanium-Technologie wird
für eine Reihe von Entwicklungen der nächsten Jahre sehr wichtig sein
und kabellose Verbindungen weltweit ermöglichen."