Intel: 65nm Fertigungsverfahren reduziert Leckströme

Santa Clara/ Feldkirchen (pte/21.09.2005/11:06) – Intel
http://www.intel.com/ hat ein neues Prozessor-Fertigungsverfahren
entwickelt, das die Akkulaufzeit von mobilen Geräten verlängern soll.
Die 65nm-Methode zur Fertigung von Mikroprozessoren soll Chips für
mobile Plattformen mit kleinem Formfaktor herstellen. Bei welchen
Geräten die Prozessoren eingesetzt werden, wollte Intel auf Anfrage von
pressetext noch nicht bekannt geben. Möglich sei der Einsatz bei
sämtlichen mobilen Geräten vom Handy bis zum Laptop, so Intel-Sprecher
Martin Strobel. Anfang 2006 sollen die Mikroprozessoren zur Verfügung
stehen, verkauft werden sie im zweiten Quartal des nächsten Jahres.

Das High Performance 65 Nanometer-Verfahren soll gegenüber dem derzeit
üblichen 90nm-Verfahren deutliche Vorteile hinsichtlich des
Stromverbrauchs als auch der Performance aufweisen. Bei dem Verfahren
wurde eine Reihe an Modifikationen am Aufbau des Transistors
vorgenommen. Der Energieverbrauch soll reduziert werden, im dem die
drei Hauptquellen von Leckströmen, Sub-Threshold-Leakage,
Junction-Leakage und Gate-Oxid Leakage, verringert werden. Bei mobilen,
Akku-betriebenen Geräten treten selbst im Ruhezustand Leckströme auf.
"Die Verlustleistung bei den Testchips war tausendmal geringer als bei
dem bisherigen Standardverfahren", sagt Strobel gegenüber pressetext.

"Auf manchen Chips stecken über eine Milliarde Transistoren. Angesichts
dieser hohen Zahl wird deutlich, dass sich die Verbesserung der
einzelnen Transistoren zu enormen Vorteilen für den gesamten Chip
addieren", erklärt Mark Bohr, Leiter des Bereichs Prozessarchitektur
bei Intel. Durch den Einsatz des 65nm-Verfahrens bei der
Chipherstellung kann die Anzahl der Transistoren auf einem Prozessor im
Vergleich zur 90nm-Technologie verdoppelt werden. Die
Herstellungskosten fallen um etwa zwei Prozent höher aus. Die
Transistoren nach dem 65nm-Verfahren sollen die kleinsten und
leistungsstärksten CMOS (komplementäre
Metalloxid-Halbleiter)-Transistoren in der Massenproduktion sein. Sie
haben eine Gate-Länge von 35nm, die modernsten Transistoren, die in den
Pentium 4 Prozessoren verwendet werden haben eine Gate-Länge von 50nm.